26-03-2007, 18:09
|
מנהל
|
|
חבר מתאריך: 09.10.04
הודעות: 15,910
|
|
זכרונות - תזמונים, ECC, REG
כמה הגדרות כלליות לגבי זכרונות:
1. תזמונים - מכונים גם CL או CAS, באופן כללי תזמונים מודדים את הזמן שחולף בין הרגע שבו הזיכרון קיבל פקודה מסויימת עד לביצוע הפעולה (זמן תגובה), לכל זיכרון מוגדר אותו סט פעולות וערכי התזמונים שונים בין הפעולות השונות.
ככל שהזמן שחולף קצר יותר, הזיכרון יגיב מהר יותר ולכן יהיה עדיף. לכן בהשוואה בין זכרונות באותו תדר עבודה, תזמונים נמוכים יותר הם טובים יותר.
הגדרות חשובות להבנת מערכת הפקודות:
זיכרון מסוג SDRAM מורכב ממערך דו מימדי של תאים, לכן גישה לתא זיכרון דורשת בחירת שורה וטור כדי להגדיר את מיקומו, כדי לקרוא תא זיכרון, כל הטור של אותו תא נקרא, הערך הדרוש נלקח וכל הטור נכתב מחדש.
בנוסף כיוון שאות חשמלי נחלש עם הזמן, אחת לפרק זמן קבוע מתרחש רענון של כלל המידע בזיכרון
CAS - column access strobe - פקודת גישה לטור.
RAS - row access strobe - פקודת גישה לשורה.
קיימות 10 פקודות עבורן מוגדר זמן תגובה:
tCL - CAS Latency - הזמן שעובר בין פקודת CAS (גישה לטור זיכרון), ועד שהמידע הופך לזמין בפיני המידע
tRCD - RAS to CAS delay - הזמן שחולף לפני ביצוע פקודת כתיבה/קריאה לאחר פנייה לזיכרון.
tRP - RAS Precharge - הזמן שחולף בין סגירת שורת זיכרון אחת ופתיחת שורת זיכרון אחרת.
tRAS - RAS Active to Precharge Delay - הפרש הזמן המינימלי בין פקודות RAS, או הזמן בין פקודת הפעלה עד שפקודת precharge תוכל להתבצע.
CMD - Command Rate - הזמן שחולף בין אות בחירת מודול זיכרון ועד שהמודול מוכן לקבלת פקודות.
tRRD - RAS to RAS Delay on different Banks - הזמן שחולף בין פקודות RAS על שני חלקי זיכרון פעילים.
tRC - RAS to RAS Delay on same bank - הזמן שחולף בין פקודות RAS על אותו חלק זיכרון.
tWR - Write recovery time - מרווח הזמן הנדרש בין פקודות כתיבה כדי להבטיח כתיבה תקינה.
tWTR - Write to Read Delay - מרווח הזמן הנדרש להכין את הזיכרון לקבלת פקודת קריאה לאחר ביצוע פעולת כתיבה.
tREF - DRAM auto refresh rate - הזמן בין פעולות רענון אוטומטיות של המודול (נמדד במיקרו שניות).
בפועל נתונים טכניים על זיכרון כוללים בדר"כ 4 מספרים של התזמונים העיקריים בסדר הבא (משמאל לימין): tCL - tRCD - tRP - tRAS ובנוסף מצויין קצב הפקודות (command rate) כ 1T או 2T לאחר מכן.
זכרונות המיועדים לביצועים גבוהים במיוחד (סדרות ה performance של החברות המובילות) יגיעו בדר"כ עם קצב פקודה מקסימלי של 1T, סדרות ה value בדר"כ יגיעו עם קצב פקודה מקסימלי של 2T.
נקודה חשובה נוספת: נכון להיום, הצ'יפסטים של אינטל לא תומכים בקצב פקודה של 1T אלא ב 2T בלבד.
2. ECC - ראשי תיבות של error correction code כלומר קוד לתיקון שגיאות, משמש כדי לוודא שלא נפלו שגיאות בקריאת המידע מהזיכרון. מיושם ע"י הוספת ביטי ערכיות (parity bit) כדי לזהות את השגיאות .
באופן כללי בכל זיכרון DRAM יש הסתברות להופעת שגיאות. הנושא לא משמעותי עבור זיכרון בשימוש ביתי, בו טעות בודדת לא תגרום נזק רב, אך מאוד משמעותי בעיבודים מתמטיים ולכן בדר"כ מערכות שרתים לארגונים גדולים דורשות שימוש בזיכרונות עם יכולת ECC.
3. Registered - מכונה גם buffered (בעל חוצץ), זהו זיכרון שבו קיים אוגר נוסף בין מודול הזיכרון לבין בקר הזיכרון. כתוצאה מכך נוצר עומס חשמלי נמוך יותר על רכיב הזיכרון וניתן להשתמש ביותר רכיבי זיכרון בו זמנית.
זיכרון מסוג זה יקר יותר מזיכרון מקביל שאינו registered ולכן נמצא בשימוש במערכות בהן יש צורך בכמויות גדולות מאוד של זיכרון, כלומר בעיקר בשרתים גדולים.
בנוסף, זיכרון זה סובל מפגיעה בביצועים עקב החוצץ שמתווסף לו, וניתן להתייחס אליו כאילו הוא עובד במחזור שעון אחד גדול יותר מזיכרון non-registered מקביל.
בפועל, במערכות מחשב ביתיות אין שימוש ברכיבי זיכרון עם יכולות ECC ו Registered, רכיבים אלה הם גם שונים פיזית מרכיבים רגילים (non-ECC, non-Registered) ולכן לא ניתן להשתמש בהם אם הלוח לא תומך בהם.
מידע נוסף ומקורות:
http://www.fresh.co.il/dcforum/Hardware/4914.html
http://www.tomshardware.com/2007/06...stem/page5.html
http://en.wikipedia.org/wiki/Dynami...m_access_memory
http://en.wikipedia.org/wiki/CAS_Latency
http://en.wikipedia.org/wiki/Registered_memory
_____________________________________
הראל
נערך לאחרונה ע"י rlsf בתאריך 16-06-2007 בשעה 12:38.
|