חוקר מאוניברסיטת בר-אילן וקבוצת חוקרים מאוניברסיטת ייל מפתחים סוג חדש לחלוטין של זכרונות מחשב בלתי נדיפים וזולים, המאפשרים לשמור בזיכרון את מערכת ההפעלה. התוצאה: קיצור משמעותי בזמן הפעלת המחשב

השניות הארוכות, המוכרות לכולנו מבכל פעם שאנו מדליקים את המחשב, עומדות להיעלם מחיינו. חוקר מאוניברסיטת בר-אילן וקבוצת מדענים מאוניברסיטת ייל, שוקדים בימים אלו על פיתוחם של זכרונות מחשב מסוג חדש וזול יחסית, שיוכלו לקצר את ההמתנה המייגעת.
מדובר בזיכרון מהסוג המכונה RAM מגנטי (MRAM), שיוכל בין היתר, להחליף את הזיכרונות הנדיפים הנמצאים בשימוש כיום בכל המחשבים. מכיוון שאינו

נדיף, לא יהיה צורך להמתין עד שיועברו אליו הנתונים הדרושים להפעלה מהדיסק הקשיח, ולמעשה ניתן יהיה לאכסן בו את מערכת ההפעלה, כך שהמחשב יעלה בתוך שברירי שניה מרגע הלחיצה על מתג ההדלקה.
נוסף על השיפור במהירות, יציע הפיתוח חסינות מפני אובדן נתונים במקרה של הפסקת חשמל, וחסכון בצריכת הזרם – החיוני הן למחשבים ניידים והן לחוות שרתים. הם יתרונות בולטים נוספים, אשר בהחלט עונים על צרכים אמיתיים הקיימים בשוק.

פרופ' ליאור קליין מהמחלקה לפיזיקה בבר אילן, המפתח והשותף לקבוצת המחקר, מסביר את הפוטנציאל שבחידוש: "הזיכרון החדש יוכל לשמש כזיכרון אוניברסלי. הוא צפוי להשפיע דרמטית על הארכיטקטורה המיחשובית, משום שלא יהיה עוד צורך להעביר מידע בין סוגים שונים של זכרונות. נוסף על זיכרונות ה-RAM הנדיפים הוא יוכל להחליף גם את זכרונות הפלאש, ולמעשה, עבור מרבית היישומים גם את הדיסקים הקשיחים. שימוש בזיכרון אחיד יקצר משמעותית את פעולת המחשב."

אמנם פורסמו בעבר ידיעות על ניסיונות של חברות כמו 'יבמ' ו'פריסקייל' לפתח זכרונות מגנטיים עם יכולות דומות, אך עלותן גובהה למדי. ייחודם של הזכרונות המגנטיים אותם מפתחים בבר-אילן ובייל הוא עלות ייצורם הנמוכה.

בעוד שהחברות הגדולות מפתחות זכרונות מגנטיים המבוססים על אפקט פיזיקלי המכונה "מינהור קוונטי בין שכבות מגנטיות", המדענים בבר-אילן ובייל מסתפקים בשכבה מגנטית בודדת תוך שימוש באפקט מבוסס ננוטכנולוגיה המכונה "אפקט הול משטחי". עובדה המייתרת את הצורך ביצירת מבנים רב שכבתיים מורכבים הדורשים רמת דיוק גבוהה בעובי השכבות של שבבי הזיכרון, דבר המסבך ומייקר את תהליך הייצור. החוקרים הגישו בקשה לפטנט בארה"ב, וממתינים להחלטה על רישומו.
גליון מאי 2006 של כתב העת Journal of Applied Physics מדווח על הפיתוח המרשים בתחום המיחשוב.
מי שירצה לשמוע עליו ממקור ראשון יוכל לעשות זאת בכנס הבינלאומי לננוטכנולוגיה שיפתח היום (שני) באוניברסיטת בר-אילן, שם יוצג החידוש על ידי מפתחיו. לאחר הכנס יחנך מרכז הננוטכנולוגיה בבר אילן, המוקם בימים אלה בהשקעה של 130 מיליון דולר
http://www.ynet.co.il/articles/0,7340,L-3256329,00.html

כרטיס הרחבה שיצא מבית ג'יגבייט שמתחבר ככרטיס הרחבה ללוח אם ופועל על זכרונות RAM רגילים, כמובן שזה גם יותר יקר...

מדובר בשיטה בה כל ביט בתוך רכיב הזיכרון הוא "דיסקשיח" בפני עצמו, ז"א, שכבה פרומגנטית אשר יכולה לתפוס אחד משני מצבים (0,1).

בפברואר השנה טושיבה ו- NEC הציגו זיכרון MRAM בנפח 16 מגהביט (2 מגהבייט)- הגדול ביותר שפותח עד כה. הראה מהירויות העברה של 200 מגהבייט/ שניה.

Signature Is For Lamers. There's no Signature

https://www.youtube.com/watch?v=0HRGczvZINQ&noembed

זיכרונות בגודל 4 מגהביט (0.5 MB), וביצועי כתיבה/ קריאה יותר טובים משל פלאש.


[התמונה הבאה מגיעה מקישור שלא מתחיל ב https ולכן לא הוטמעה בדף כדי לשמור על https תקין: http://images.dailytech.com/nimage/2031_large_mram2.jpg]

אופן פעולת ה- MRAM- שרטוט סכימתי של תא זיכרון יחיד

http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=3217